PECVD管式炉配有等离子射频电源，开启式管式炉（带有真空法兰和连接管道）及一个直联式双旋机械泵。此套设备模型可组合为不同类型的PECVD系统，且设备性价较为理想。
PECVD管式炉的炉体结构：
采用双层壳体结构，并带有风冷系统。
·炉膛采用高纯多晶氧化铝纤维，更大程度的减少能量损失。
·内炉膛表面涂有美国进口1750度高温氧化铝涂层可以提高反射率及设备的加热效率，同时也可以延长仪器的使用寿命。
·可选购移动炉架，方便炉体的移动。
·产品特点：
▪射频电源可实现等离子增强从而显著降低实验温度；
▪整套设备尺寸小巧；
▪可通过工艺调节来控制化学计量；
▪可通过射频电源的频率来进行控制薄膜的应力。
PECVD管式炉的主要用途：
1、利用等离子体聚合法可以容易地形成与光的波长同等程度的膜厚。这样厚度的膜与光发生各种作用，具有光学功能性。即：具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用。由于这种性质的存在，低温沉积Si3N4减反射膜，以提高太阳能电池的光电转换效率。
2、用于集成光电子器件介质SiYNX膜的制备，如半导体集成电路的衬底绝缘膜、多层布线间绝缘膜以及表面纯化膜的生长。
3、在电子材料当中可制成无针孔的均一膜、网状膜、硬化膜、耐磨膜等。
4、在半导体工艺中不仅用于成膜，而且用于刻蚀，也是一个较为理想的设备，它可刻0.3μm以下的线条。
